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震惊,采用电子血液技术降温的国产自冷三极管PNPN

文章来源: 文章作者: 更新时间:2019-05-07 13:42:56 点击次数:

 它是用什么绝招来实现的呢?有个比喻,就是等于给晶体管内部安装了一个量子空调机,也叫电子血液降温。结构有两种,一种实在NPN的三极管的集电极上增加一层P材料再打线外接散热片作为引脚,与芯片内的N材料复合构成一个P-N制冷单元,成为P-NPN三极管。这种是首选的结构,因为集电极聚集了最多的热量,电子从这里流出,能带走更多热量。另一种是在PNP类型三极管的发射极外增加一层N材料,构成PNP-N三极管,原理如下:


致冷三极管P-NPN PNP-P的结构和原理
有很多研究过温差发电,或者半导体致冷的朋友,会用传统吸热放热的原理来辩驳这个半导体制冷结构的效率很低。但是这个结构的核心是利用了半导体致冷理论体系其中的一个效应:汤姆逊效应。电子流过不同的导体时,除了放出焦耳热,还会在接触面吸热或放热。吸放热的方向,全视乎两种材料中的电子能级。电子从低能级的P材料流去高能级的N材料时,它需要吸入热量,以维持他在高能级材料中的运行半径。电子只要还在这个材料中流动,并不需要把能量放出来。


不同材料中电子能级不同,跨材料就吸放
在不同半导体材料中电子势能的差,就是本技术的核心与关键。寻找合适的材料,就能让这个结构有效。基本原理来源是半导体制冷中的汤姆逊效应。


不同材料的半导体中,电子被限制与晶格框架内,电子从不同类型的半导体流过,必须在接触面吸入或者放出热量。吸入或者放出的热量,就是这些电子在不同半导体材料中的能级差。


led就是因为这种能级差,才能放出光来
不同的材料中,电子的能级不同,早就有足够的理论与数据支撑。


不同半导体材料中电子内能
只要挑选出合适的材料,只要这种能级差就能比电子流过器件时产生的欧姆热大,就能有源源不断的吸热效果。只要这个结构安装在正极,也就是电子流出器件的那一端,电子就能把热量带离器件,保护好核心器件不受过热影响。所以一般把结构设置在NPN的三极管的集电极上,形成P-NPN的新颖结构,电子带离芯片核心后,流出晶体管外,它爱在哪里放热就放去吧,核心不被热死,是本技术的核心追求。


IBM的电子血液就是这个原理
这种电子内能会在下一个内能需求低的材料的接触面放出热量,但这是正极,能量已经流出芯片外,一般已经回了电源去了,实际的效果是电压不同了几个毫伏,热电互变而已。整体还是遵循热力学定律,更遵守能量守恒定理。


没有三极管就没有现代信息社会
当然这种结构是有诀窍,那就是选用添加什么性质和渗杂比例的半导体,将是这个机制能否成功的关键。当吸收的热量比发出的欧姆热更多时,这个量子空调机,将随着电流的流过永远运作。


致冷二极管结构
可以预见,制冷晶体管将能把害怕发热的芯片再度扬帆。如果你是无线电爱好者,是否觉得脑洞大开,是否觉得有这样巧妙的国产晶体管而感到骄傲,是否需要重新认识中国未来的的电子产业?


致冷场效应管原理与结构
如果你想实验测试,很简单,随便找一个NPN的集电极是金属散热片晶体管,三极管或者场效应管都行然后找一片镀锡的铜片,把这个铜片放进臭氧中氧化,加温到几十度氧化得更快。表面的錫将会均匀地变成氧化錫。让后以这个铜片作为散热器,把三极管安装上去,然后通电测试,同样做一个没氧化的铜片做对比,相同的电流之下,你自己看哪一个温度更低?因三极管内的P材料透过自己的集电极散热片,与外部新加铜散热片上的氧化錫(成了新的N材料)组成了一个P-N半导体致冷单元。要注意的是,集电极的接线要改成接散热片,因为电子流出要走散热片,电子要从核心携带能量出来从散热片的电极散出去,不能走原来的管脚。这就是IBM公司所研发的“电子血液”原理【百度百科】:电子像人类的血液一样源源不断地把大脑产生的热量带走。


通电后,调节好工作点,您爱怎么验证就怎么验证。测试成功之后,你就道实现这个结构有多么简单了。

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